[发明专利]异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110361588.3 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097124A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;石航宁;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑衬底上，制备过程中无需担心解键合的问题，可降低异质集成热失配较大或表面粗糙度较大的材质时的工艺难度；最终获得的GaN单晶薄膜的Ga极性面向上，可兼容目前主流的GaN器件，且GaN单晶薄膜表层区域的离子注入缺陷少、晶体质量好；可灵活选择支撑衬底，发挥支撑衬底优势，扩大应用；剥离后的GaN单晶晶片可回收利用，降低成本。本发明通过异质集成，可制备高导热、高性能的GaN器件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 gan 薄膜 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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