[发明专利]应力迁移测试结构和应力迁移测试方法有效
| 申请号： | 202110354897.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097092B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种应力迁移测试结构和应力迁移测试方法。该应力迁移测试结构中，第一应力迁移测试结构包括：第n+1层金属层，具有一个第一金属部；第n层金属层，具有多个相互隔离的第二金属部，各第二金属部通过第n层通孔与第一金属部物理连接；第n+1层参考结构，与第n+1层金属层相邻，第一金属部和第n层参考结构的两端均设置有测试信号接入点；第二应力迁移测试结构包括第m+1层金属层，具有多个相互隔离的第三金属部，第m层金属层，具有一个第四金属部，各第四金属部通过第m层通孔与第三金属部物理连接；第m层参考结构，与第m层金属层相邻，第四金属部和第m层参考结构的两端均设置有测试信号接入点，实现了准确测定SM效应。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 迁移 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
