[发明专利]一种提高薄膜应用频率的薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202110324953.3 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113088893A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孙科;张婧;何宗胜;余忠;邬传健;蒋晓娜;兰中文 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14;H01F41/20 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗衬底；2)衬底固定在样品架上，所述衬底与样品架呈θ角，并且在衬底上施加磁场；3)利用高真空电子束蒸发系统，在背底真空为1.3×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 应用 频率 制备 方法 | ||
【主权项】：
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