[发明专利]一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110324952.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113233885B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 马永祥;张怀武;李颉;徐秉川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/40 | 分类号： | C04B35/40;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;H01F1/34;H01F41/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于电子陶瓷技术领域，具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料：Y |
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| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 yig 磁铁 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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