[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 202110324251.5 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113451034A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 国吉太;松本绫二;荫山匡平;村田刚志 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明要解决的技术问题在于提供一种能够进一步提高成品率的新的R－T－B系烧结磁体的制造方法。本发明解决技术问题的方案在于，本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体用稀土合金的粉末成型体的工件的工序；切断工件，将工件分割成多个成型体片的工序；和对成型体片进行烧结的工序。将工件分割成多个成型体片的工序包括：利用具有平均粒径为1μm以上24μm以下的多个磨粒和固着多个磨粒的线材的线锯切断工件，并回收从工件削掉的稀土合金的粉末颗粒的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110324251.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁传感器及其制造方法
- 下一篇：电池系统及其操作方法以及包括其的电池组和车辆
