[发明专利]片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器有效

专利信息
申请号: 202110318450.5 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113162564B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 郑中万;宋柏;陈涛 申请(专利权)人: 成都知融科技有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 彭思雨
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请涉及应用于移动设备的射频模块集成技术,公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器,包括多路带隙基准电流源、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路,多路带隙基准电流源分别为三个偏置电路提供电流,射频信号输入总端口与第一级放大电路的输入端连接,第一级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端连接,第二级放大电路的输出端与第三级放大电路的输入端连接,第三级放大电路的输出端与射频信号输出总端口连接。本申请采用三级放大电路结构,实现了补偿高低温状态下增益波动和输出功率波动,能够很好的满足系统的需求。
搜索关键词: 具有 温度 补偿 功能 cmos 功率放大器
【主权项】:
暂无信息
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