[发明专利]一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法有效
| 申请号： | 202110314789.8 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113078625B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王玉婵;袁一鸣;张文霞;戚飞;张楠;袁素真 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H7/20;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化合物 浪涌 保护 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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