[发明专利]超薄绝缘体上硅（SOI）衬底基片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110312120.5 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114267628A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 季明华;张汝京;林志高;苏崇文 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种超薄绝缘体上硅(SOI)衬底基片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一单晶硅背衬底，并在单晶硅背衬底的上表面形成具有第一厚度的埋氧化层；刻蚀埋氧化层，并形成贯穿该埋氧化层的窗口，该窗口暴露出单晶硅背衬底的部分上表面；以单晶硅背衬底为籽晶，并沿窗口生长出具有第二厚度的单晶硅层；单晶硅层覆盖埋氧化层的上表面以及窗口，且晶向与单晶硅背衬底的晶向相同。本申请的SOI衬底基片具有薄的埋氧化层和单晶硅层，其能够通过改善短沟道效应来减小阈值电压变异性，以增强衬底基片的稳定性。另外，埋氧化层和单晶硅层均具有良好的厚度均匀性，其能够减小由厚度不均匀所导致的阈值电压变异性。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 绝缘体 soi 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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