[发明专利]一种钝化接触IBC电池的制作方法在审
| 申请号： | 202110295144.4 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN115117180A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张博;屈小勇;高嘉庆 | 申请（专利权）人： | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海政济知识产权代理事务所(普通合伙) 31479 | 代理人： | 辇甲武 |
| 地址： | 810007 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于公开一种钝化接触I BC电池的制作方法，包括如下步骤：(1)去损伤层；(2)P区隧穿氧化层及多晶硅层制备；(3)背面硼沉积；(4)激光掺杂；(5)清洗BSG；(6)第一次退火；(7)碱制绒；(8)N区隧穿氧化层及多晶硅层制备；(9)磷沉积；(10)激光掺杂；(11)清洗PSG；(12)第二次退火；(13)背面S i Nx膜制备；(14)清洗绕镀；(15)正面Si Nx膜制备；以及(16)金属化；与现有技术相比，可减少传统钝化接触I BC电池工艺步骤，尤其是解决了I BC电池P+区的接触钝化工艺问题，在提升电池效率的同时，降低电池生产成本，使钝化接触I BC电池获得较高的性价比，有利于该类型电池的大规模生产，实现本发明的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 ibc 电池 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
