[发明专利]基于磁场梯度的位置传感器设备、方法和系统在审
| 申请号： | 202110292522.3 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113432517A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | N·迪普雷;Y·比多 | 申请（专利权）人： | 迈来芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;G01B7/30;G01R33/022;G01R33/07;G01R33/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;张鑫 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种确定磁传感器设备相对于磁源或者确定磁源相对于磁传感器设备的线性位置或角位置的方法，该传感器设备包括至少四个磁传感器元件，该方法包括以下步骤：a)确定第一磁场梯度；b)确定第二磁场梯度；c)确定第一磁场梯度与第二磁场梯度的比率；d)将该比率转换为位置；同时匹配磁传感器元件的信号路径，以便改善信噪比(SNR)。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁场 梯度 位置 传感器 设备 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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