[发明专利]通孔的制造方法有效
| 申请号： | 202110292266.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113140505B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 侯宁普 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、依次形成硬质掩膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶。步骤二、对光刻胶进行图形化并形成第一开口。步骤三、进行第一次刻蚀将图形转移到底部抗反射层和介质抗反射层中并形成第二开口；第一次刻蚀的刻蚀气体中包括不敏锐气体和敏锐气体，通过调节非敏锐气体的气体含量调节第二开口的关键尺寸。步骤四、依次对硬质掩膜层和层间膜进行刻蚀将图形向下转移并在层间膜中形成通孔开口。本发明能提高通孔的关键尺寸大小的稳定性，从而能防止由于通孔的关键尺寸偏差而导致的产品良率问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
