[发明专利]一种用于芯片内部振荡器的全温度电容补偿电路在审
| 申请号： | 202110279753.0 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113054911A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 顾永兴 | 申请（专利权）人： | 苏州灵天微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于芯片内部振荡器的全温度电容补偿电路，包括第一反相器、第二反相器和电容模块，所述电容模块包括PMOS电容、寄生PN节电容、第一NMOS开关和第二NMOS开关，所述第一反相器与第二反相器和电容模块电性连接，所述第二反相器与电容模块电性连接。本发明的有益效果为：通过PMOS电容和寄生PN节电容的配合使用，在全温度范围内有效提升输出频率的稳定性，从而有效改善各种时序逻辑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 芯片 内部 振荡器 温度 电容 补偿 电路 | ||
【主权项】：
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