[发明专利]一种Ta表面掺杂的高镍单晶正极材料及制备方法有效
| 申请号： | 202110278978.4 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113066978B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 郭玉国;邹玉刚;石吉磊;盛航;殷雅侠;辛森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525;C30B31/04;C23C18/12;C01G53/00 |
| 代理公司： | 北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙) 11868 | 代理人： | 艾变开 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了Ta表面掺杂的高镍单晶正极材料及其制备方法，所述单晶正极材料包括：单晶正极材料(LiNi |
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| 搜索关键词： | 一种 ta 表面 掺杂 高镍单晶 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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