[发明专利]一种晶圆切割方法在审
| 申请号： | 202110274604.5 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113053770A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶维坚;邢杰;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆切割方法，包括：采用刀轮对晶圆执行至少一次测试切割以得到至少一个切痕图像；沿至少一个切痕图像的长度方向进行测量以得到至少两个切割长度；判断至少两个切割长度中的最大值与最小值的差值是否大于设定值，若是，则判定切割面形貌异常，并停止切割，若否，则判定切割面形貌正常，并计算得到测试切割的实际切割深度及切割深度补偿值；以及，基于切割深度补偿值，执行产品切割。通过切痕图像的切割长度的最大值与最小值的差值判断切割面形貌是否正常，若是，则还可结合切割长度及刀轮的半径得到切割深度补偿值用于确定产品切割的切割深度，以解决现有技术中无法及时并精准的确定晶圆的切割深度及切割面形貌的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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