[发明专利]一种IGBT/SiC器件损耗自动检测装置及其检测方法在审

专利信息
申请号: 202110269813.0 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN113125923A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 孙厚强;张高瑞;秦浩楠;李小伟;王知学 申请(专利权)人: 青岛中微创芯电子有限公司;山东交通学院
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 张仁杰
地址: 266500 山东省青岛市黄岛区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种IGBT/SiC器件损耗自动检测装置及其检测方法,包括依次传递数据的IGBT/SiC器件控制电路模块、驱动模块与IGBT/SiC器件,本发明通过IGBT/SiC器件损耗自动检测装置可以实时监控IGBT/SiC功率器件工作状态,提升应用系统运行的安全性及可靠性,大大降低系统工作维护成本,避免由于应用系统故障导致的人身事故及财产损;可有效保护硬件电路安全,降低设备故障率。
搜索关键词: 一种 igbt sic 器件 损耗 自动检测 装置 及其 检测 方法
【主权项】:
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