[发明专利]PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成芯片、制备方法在审
| 申请号： | 202110257855.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113054912A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王宁;赵柏秦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种硅基PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成芯片，包括：硅基PIN探测器、横向NPN三极管、第一电阻和第二电阻；其中，横向NPN三极管、第一电阻和第二电阻构成跨阻放大器，与硅基PIN探测器连接；硅基PIN探测器用于探测激光信号，产生电流信号；跨阻放大器用于放大和输出电流信号。该光电单片集成芯片实现了将激光探测器与跨阻放大器的集成，可有效提高激光接收模块的抗干扰能力，增强信号稳定性。此外，本公开还提供了该芯片的制备方法，该方法过程简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | pin 探测器 放大器 光电 单片 集成 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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