[发明专利]一种超低VF软快恢复二极管有效
| 申请号： | 202110241329.7 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112786708B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李环伟;田旭;雷正龙;许冬梅;孙亚倩;卢昂 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/66 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法，该超低VF软快恢复二极管从上到下依次为：第一金属电极、氧化层、肖特基势垒、P+环和P‑阱、N‑高阻层、N+衬底层、第二金属电极，其中，所述肖特基势垒覆盖有源区的非P‑阱区，所述肖特基势垒占有源区面积的4/6‑5/6，所述P‑阱占有源区面积的1/6‑2/6。其通过将SBD二极管与PIN二极管相结合构成一新型的二极管，在PIN二极管的基础上，在有源区额外增加肖特基势垒的小岛，在有源区构成P‑阱区与肖特基势垒交替存在的并联结构，结合了SBD二极管和FRD(Fast Recovery Diode)二极管的优点，正向压降低且软快恢复参数优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vf 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
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