[发明专利]高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110238832.7 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN113077981B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 余忠;青豪;孙科;冉茂君;邬传健;刘海;蒋晓娜;兰中文 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F27/24;H01F27/06;H01F27/28;H01F41/24
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器,属于薄膜电感器制备技术领域。该薄膜电感器包括衬底基片,形成于衬底基片之上的磁性薄膜,形成于磁性薄膜之上的电感线圈;其中,所述衬底基片包括依次设置的硅基片、聚酰亚胺层和氮化硅层,聚酰亚胺层的厚度为30μm~70μm。本发明薄膜电感器通过在基底上形成聚酰亚胺层,有效降低了电感的衬底损耗和寄生电容,使薄膜电感器具有高的Q值和谐振频率;采用旋转喷涂法低温沉积磁性薄膜,避免聚酰亚胺层的高温分解开裂;通过对电感线圈的匝数、导线宽度、导线间距和导线厚度进行优化,最终得到了高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器。
搜索关键词: 电感 谐振 频率 薄膜 电感器 制备 方法
【主权项】:
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