[发明专利]高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法

权利要求书

1.一种高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器，其特征在于，包括衬底基片，形成于衬底基片之上的磁性薄膜，形成于磁性薄膜之上的电感线圈；其中，所述衬底基片包括依次设置的硅基片、聚酰亚胺层和氮化硅层，聚酰亚胺层的厚度为30μm～70μm。

2.根据权利要求1所述的高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器，其特征在于，所述电感线圈为平面螺旋结构，匝数为26匝～32匝，导线宽度为20μm～50μm，导线间隙为20μm～50μm，导线厚度为10μm～15μm。

3.一种高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗硅基片，干燥；

步骤2、采用旋涂法在步骤1清洗后的硅基片上制备聚酰亚胺层：

2.1旋涂：将聚酰亚胺浆料涂覆于硅基片上，先在300r/min～500r/min的转速下旋涂30s～50s，再在600r/min～800r/min的转速下旋涂40s～60s；

2.2固化：对旋涂后的聚酰亚胺进行固化处理，将旋涂后的聚酰亚胺依次在80℃～90℃温度下保持1h、110℃～120℃温度下保持2～3h、140℃～150℃温度下保持2～3h、170℃～180℃温度下保持2～3h；

2.3重复上述“旋涂-固化”过程1～2次，即可在硅基片上制备得到厚度为30μm～70μm的聚酰亚胺层；

步骤3、氮化硅层的制备：

采用等离子体增强化学气相沉积法在聚酰亚胺层上生长氮化硅层，得到衬底基片；

步骤4、在步骤3得到的衬底基片上制备NiZn铁氧体薄膜；

步骤5、在NiZn铁氧体薄膜上制备电感线圈，得到所述薄膜电感器。

4.根据权利要求3所述的高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法，其特征在于，步骤4所述制备NiZn铁氧体薄膜的过程具体为：

步骤1、配制氧化反应液和还原反应液：

1.1将亚硝酸钠、乙酸钠加入去离子水中，搅拌混合均匀，得到氧化反应液，氧化反应液中，亚硝酸钠的浓度为0.1g/L～0.2g/L，乙酸钠的浓度为1.3g/L～1.5g/L；

1.2将氯化亚铁、氯化镍、氯化锌加入去离子水中，搅拌混合均匀，得到还原反应液，还原反应液中，氯化亚铁的浓度为1.3g/L～1.6g/L，氯化镍的浓度为0.2g/L～0.6g/L，氯化锌的浓度0.04g/L～0.14g/L；

步骤2、将步骤3得到的衬底基片放置于旋转喷涂设备的加热板中央，在基板温度为85～95℃、旋转速度为90～140r/min、氧化反应液的供应速率为10mL/min～20mL/min、还原反应液的供应速率为10mL/min～20mL/min、超声雾化功率为2～3W、空气气氛的条件下，沉积20min～60min，得到1～3μm的NiZn铁氧体薄膜。

5.根据权利要求3所述的高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法，其特征在于，步骤3所述衬底基片包括硅基片、聚酰亚胺层和氮化硅层，聚酰亚胺层的厚度为30μm～70μm。

6.根据权利要求3所述的高电感值、高Q值和高谐振频率的薄膜电感器的制备方法，其特征在于，步骤5所述电感线圈的匝数为26匝～32匝，导线宽度为20μm～50μm，导线间隙为20μm～50μm，导线厚度为10μm～15μm。