[发明专利]基于残差的无位置传感器注入自适应永磁电机控制方法有效
申请号: | 202110229603.9 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113067519B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 陈龙淼;孙乐;邹权;王满意 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H02P21/24 | 分类号: | H02P21/24;H02P21/18;H02P21/22;H02P21/00;H02P21/04 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 岑丹 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于残差的无位置传感器注入自适应永磁电机控制方法,在无位置传感器的情况下通过电压、电流以及电机电流环模型及其参数估计永磁电机转子位置和转速;低速下的转子位置估计需要向三相绕组注入高频电压信号,以激励高频电流分量,电流高频分量幅值越高,则估计越稳定,然而噪声就越大。电流环的估计残差反映了转速和位置估计的状态是否稳定可靠,当残差较小时,说明估计状态稳定可靠,因而只需要较小的注入信号幅值就维持低速转子位置估计;反之则应该增大注入信号幅值以保证系统稳定运行。本发明的核心创新点在于建立了通过电流环估计残差自适应调节注入信号幅值的机制,在实现低速无位置传感器控制的同时提高了系统稳定性。 | ||
搜索关键词: | 基于 位置 传感器 注入 自适应 永磁 电机 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110229603.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。