[发明专利]一种通过脱氮副球菌和希瓦氏菌共培养促进六价铬去除的方法有效

专利信息
申请号: 202110226714.4 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113023902B 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 陈银广;徐亚楠 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C02F3/34;C02F101/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 夏苗苗
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种通过脱氮副球菌和希瓦氏菌共培养促进六价铬去除的方法。所述方法包括预先在有氧条件下用灭菌LB培养基分别培养脱氮副球菌和希瓦氏菌到OD600为2~4;并配置反硝化培养基;向厌氧瓶中加入50~100mL的所述反硝化培养基,接着向所述厌氧瓶中加入待处理的六价铬溶液、灭过菌的50μl10~100g/L的CaCl2母液,再将预先培养好的脱氮副球菌接种到所述厌氧瓶中,确定初始接菌量为OD600=0.02~0.08;再接种希瓦氏菌,确定初始接菌量为OD600=0.04~0.20;氮气吹扫5~10min去除氧气;密封所述厌氧瓶,以还原所述待处理的六价铬溶液得到铬金属。本方法具有操作条件操作简单、绿色环保无二次污染、成本低廉、对重金属离子的降解效率高等优点。
搜索关键词: 一种 通过 脱氮副 球菌 希瓦氏菌共 培养 促进 六价铬 去除 方法
【主权项】:
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