[发明专利]一种电致发射率可变器件有效
申请号: | 202110224398.7 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN114995001B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 曹逊;黄爱彬;邵泽伟;贾汉祥;金平实 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/157 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种电致发射率可变器件,所述电致发射率可变器件包括透明基底、以及依次分布在透明基底表面的第一金属反射层、二氧化钒层、树脂基离子传导层、硅层和第二金属反射层;所述第一金属反射层的反射率为90%~100%,所述第二金属反射层的反射率为20~50%。 | ||
搜索关键词: | 一种 发射 可变 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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