[发明专利]光刻胶涂布方法在审
| 申请号： | 202110205894.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114967346A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林锺吉;金在植;张成根;金成昱;梁贤石;贺晓彬;刘强;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法，光刻胶涂布方法包括：将半导体晶圆放置在装载台上并使半导体晶圆的圆心位于光刻胶喷嘴的正下方；控制装载台带动半导体晶圆旋转，控制光刻胶喷嘴向半导体晶圆的圆心处喷涂光刻胶；控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐增加，且当光刻胶喷嘴的喷涂速率达到第一预设值后，控制光刻胶喷嘴的喷涂速率逐渐减小直到半导体晶圆完成喷涂。根据本申请的光刻胶涂布方法，由于半导体晶圆的喷涂初期需要大量的光刻胶，而随着半导体晶圆上被喷涂面积的增加，需要的光刻胶量逐渐减小，本申请通过合理的控制光刻胶喷嘴的喷涂速率，以此减少光刻胶的浪费量。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶涂布 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110205894.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
