[发明专利]半导体器件及相关模块、电路、制备方法在审
| 申请号： | 202110170393.0 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113054010A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨文韬;戴楼成;宋超凡;左慧玲;杜江;侯召政;黄伯宁 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 模块 电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
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