[发明专利]基于FeFET结构的高能效TCAM及其操作方法有效
| 申请号： | 202110152724.8 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113053434B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 尹勋钊;范圳浩;钱煜;望浩然;李超;卓成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于FeFET结构的高能效TCAM及其操作方法，涉及适合于低功耗高性能的基于FeFET的存储器的设计；充分利用了FeFET的存储特性实现了全新的基于2FeFET结构的TCAM单元的设计，节约了晶体管的数量，降低了搜索能耗，并获得了数据保存的非易失性。本发明分别采用2FeFET‑1T和2FeFET‑2T结构，结合了FeFET和CMOS的优点，在不降低性能的情况下，利用FeFET独特的结构实现了相比传统基于CMOS的TCAM更少的面积开销和更低的能耗，并且实现了非易失性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fefet 结构 能效 tcam 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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