[发明专利]一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110144224.X | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112735860B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;宋仁静;王月飞;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/48;H01G11/32;H01G11/26;H01B1/04;H01B1/12;H01B13/00 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人： | 涂萧恺 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高结晶度高导电率聚吡咯石墨烯复合结构及制备方法，包括配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；取吡咯单体溶于特定的有机溶剂中，充分搅拌使其完全溶解；将溶有氧化剂的酸溶液和溶有吡咯单体的有机溶剂中密度小的倒入密度大的溶液中，两者分层，逐渐可观察到在两者界面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行，最终获得高结晶质量聚吡咯薄膜；将单层石墨烯和聚吡咯薄膜转移到衬底上形成两层或两层以上的复合结构，用去离子水清洗，以除去所述多层复合结构表面的反应溶液残留，然后烘干即可得到聚吡咯/石墨烯复合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶度 导电 吡咯 石墨 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北师范大学，未经东北师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110144224.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种医护工作记录提醒终端设备
- 下一篇：一种矿山凿岩用防尘式岩石开孔装置
