[发明专利]一种调整NAND FLASH频率的方法及装置在审
| 申请号： | 202110136260.1 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112799980A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 申红磊;李骊 | 申请（专利权）人： | 北京华捷艾米科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F11/10;G11C29/42;G11C16/32;G11C7/22;G06F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 100193 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种调整NAND FLASH频率的方法及装置，当环境变化时，会引起NAND控制器的配置信息与最佳读写频率不匹配，进而导致的存储操作错误，该方法为了解决这一问题，动态调整NAND FLASH的读写频率，同时调整NAND控制器的配置信息，使配置信息与NAND FLASH的读写频率相匹配，降低环境或器件本身变化对读写频率的影响，保证NAND控制器控制的准确性，进而保证NAND FLASH存储操作的成功率。并且，将配置后的NAND控制器的配置信息写入到NAND FLASH，使启动时可以从NAND FLASH获取配置信息，保证NAND控制器配置的速度，节省启动时间，提高整体效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 nand flash 频率 方法 装置 | ||
【主权项】：
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