[发明专利]一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110128328.1 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951988A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王丽萍;董江辉;曲兆珠;张宝林 | 申请（专利权）人： | 桂林医学院附属医院;桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 541001 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，采用磁控溅射法，以Pt金属为靶材，沉积100nm厚度的Pt为底电极。采用电子束蒸发法沉积5nm厚度的Ti或Al，借助超薄AAO模板制备出了高度有序的Ti或Al纳米岛阵列。Ti纳米岛平均直径为57.7nm，岛之间中心间距平均距离为100.2nm。再用磁控溅射法，以WO |
||
| 搜索关键词： | 一种 ti al 纳米 阵列 氧化钨 基忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林医学院附属医院;桂林理工大学，未经桂林医学院附属医院;桂林理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110128328.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单槽清洗机
- 下一篇：一种用于建筑机械的安全装置
