[发明专利]一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对硅片进行预处理；

(2)在预处理后的硅片表面生长氧化硅，得到SiO₂/Si；

(3)在SiO₂/Si基础上，以金属Ti为靶材，进行磁控溅射制备Ti/SiO₂/Si，然后在Ti/SiO₂/Si基础上，以金属Pt为靶材，进行磁控溅射制备Pt/Ti/SiO₂/Si；

(4)对Pt/Ti/SiO₂/Si进行预处理；

(5)将预处理后的Pt/Ti/SiO₂/Si等分成四个四分之一圆，将附着在PMMA上的AAO模板沿直边放置到分割后的Pt/Ti/SiO₂/Si上，去除AAO模板上的PMMA，然后将模板整理平整，用有机溶剂浸泡，干燥后得到AAO/Pt/Ti/SiO₂/Si；

(6)在AAO/Pt/Ti/SiO₂/Si基础上，以金属Ti或Al为靶材，进行沉积，沉积结束后去除AAO模板，制备出Ti纳米岛阵列和Al纳米岛阵列，得到Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si；

(7)在Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si中心滴入AZ4620光刻胶，旋涂，烘胶，得到AZ4620/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和AZ4620/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si，烘胶后将AZ4620/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和AZ4620/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si进行曝光处理，将曝光后的AZ4620/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和AZ4620/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si进行显影处理，之后用水清洗；

(8)将经过显影处理的AZ4620/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和AZ4620/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si放入磁控溅射仪器腔内，以WO_y，y＝2.7～2.9，为靶材，交流溅射沉积WO_x(x＝2.2～2.5)层；

(9)沉积了WO_x层的AZ4620/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和AZ4620/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si经过处理后，干燥得到具有光刻图形的WO_x/Ti NI/Pt/Ti/SiO₂/Si和WO_x/Al NI/Pt/Ti/SiO₂/Si，即为内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器。

2.根据权利要求1所述的一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)所述硅片预处理过程为将硅片依次放入丙酮、异丙醇和无水乙醇中分别超声处理，用水清洗，气枪吹干，烘干水分。

3.根据权利要求1所述的一种内嵌Ti或Al纳米岛阵列的氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)所述SiO₂/Si的制备过程为预处理后的硅片放入等离子体增强化学气相沉积仪器中，300℃加热5min～6min，硅片表面生长300nm的氧化硅。