[发明专利]寄生电容过载的检测方法在审
| 申请号： | 202110090042.9 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112767992A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G06F30/333 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种寄生电容过载的检测方法，所述寄生电容过载的检测方法包括：在存储电路中选定节点。获取所述存储电路中所有MOS管的驱动能力值。判断每一所述MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内；若是，则所述MOS管对应的节点的寄生电容合格；若否，则所述MOS管对应的节点的寄生电容过载。因此，本发明提供的所述寄生电容过载的检测方法将所述节点处的寄生电容是否过载，映射为所述节点对应的MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内。故本发明不需要对整个存储电路进行仿真，即可检测出每一所述节点处的寄生电容是否过载，大大的缩短了检测的时间，提高了寄生电容过载的检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 电容 过载 检测 方法 | ||
【主权项】：
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