[发明专利]一种脑微器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110088660.X 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112933406A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 陈涛;李倩;康博栋;杨艺;马娟棠 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: A61N1/36 分类号: A61N1/36;C12N5/0797
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 张超艳;董永辉
地址: 100022 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种脑微器件及其制造方法,包括电刺激部分和细胞培养部分,所述电刺激部分包括刺激电路和刺激电极,所述刺激电极为可植入刺激电极,一部分刺激电极作为正极,另一部分刺激电极作为负极,所述刺激电路产生电流传到刺激电极,通过外界液体环境导电,将电流从正极流向负极;所述细胞培养部分包括外轮廓以及设置在所述外轮廓上表面的至少三个腔室,第一腔室用于培养干细胞,第二腔室作为出液口,第三腔室作为进液口,腔室之间通过微流控通道相连。上述脑微器件及其制造方法使得干细胞和电刺激共同作用。
搜索关键词: 一种 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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