[发明专利]一种LiF晶体的生长方法及其装置在审

专利信息
申请号: 202110087424.6 申请日: 2021-01-22
公开(公告)号: CN112853473A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 范庆英;邱睿;邱少卿;崔硕;刘志;谢付莹;孔宝国;王培君;石煜;韩超;程阳;邱旭;杨仪 申请(专利权)人: 范庆英
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B35/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100000 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及氟化锂晶体的培育领域,且公开了一种LiF晶体的生长方法及其装置,其包括设备本体、反应炉、炉盖和坩埚,炉盖的底端对称固定有两个竖直方向的且位于反应炉内的拉杆,两个拉杆的底端均固定有与其垂直的且为可伸缩的连接杆,两个连接杆上相靠近一侧均固定有弧形的夹套,两个夹套配合用于固定坩埚,设备本体的一侧连接有安装架,安装架上转动连接有转杆,转杆上固定有转盘,安装架上设置有用于驱动转杆进行转动的转动组件,转盘的顶端固定有竖直方向的导向板,炉盖上有卡合滑动连接在导向板上的固定杆,转盘上设置有用于驱动固定杆上下滑动的驱动组件。本发明可方便的对坩埚进行装炉和取出,避免人工取用时意外导致原料或晶体洒出的问题。
搜索关键词: 一种 lif 晶体 生长 方法 及其 装置
【主权项】:
暂无信息
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