[发明专利]反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 202110084725.3 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113145578B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 森田慎也;中田彻;木村博至;濑川彻 | 申请（专利权）人： | 信越石英株式会社;株式会社国际电气 |
| 主分类号： | B08B9/032 | 分类号： | B08B9/032;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 清洗 方法 半导体器件 制造 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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