[发明专利]一种中空四氧化三钴纳米粒子/碳复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110081580.1 申请日: 2021-01-21
公开(公告)号: CN112850804B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 张艳红;闫阳;孙立国 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;C01B32/05;B82Y40/00;B82Y30/00;H01G11/34;H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/46
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 李红媛
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种中空四氧化三钴纳米粒子/碳复合材料的制备方法,涉及一种应用于高能量密度超级电容器的电极材料的制备方法。本发明是要解决现有的超级电容器的电极材料的结构设计不完善和能量密度低的技术问题。本发明的方法使中空Co3O4纳米粒子嵌入互穿多孔碳网络骨架中,应用于超级电容器的电极材料中,不仅能够促进离子扩散和电子传输,且Co3O4纳米粒子的中空结构能够提供更多的氧化还原活性位点,从而使超级电容器的能量密度可达104Whkg‑1,具有非常好的电化学应用价值。
搜索关键词: 一种 中空 氧化 纳米 粒子 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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