[发明专利]一种高压直流半导电屏蔽料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110059770.3 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113150274A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郝春成;王恩民;雷清泉;张磊;魏艳慧;李国倡;辛萌;马莉莉 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | C08G73/02 | 分类号： | C08G73/02;C08K3/04;C08L23/08;C08L23/06;C08L79/02 |
| 代理公司： | 山东重诺律师事务所 37228 | 代理人： | 冷奎亨 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高压直流半导电屏蔽料及其制备方法，属于电工材料领域。本申请的半导电屏蔽料的制备方法是，先将苯胺在导电炭黑上原位聚合，并用盐酸掺杂，制成复合导电粉末。然后把导电粉末掺入聚合物基体中，制成半导电屏蔽料。掺入导电聚苯胺，可以有效降低半导电屏蔽料的PTC效应，并且提高半导电屏蔽层抑制空间电荷向绝缘层中注入的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 直流 导电 屏蔽 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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