[发明专利]一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料及制备方法在审
| 申请号： | 202110054613.3 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112952055A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王超楠;王波;罗胜耘;杨吟野;张朝珍 | 申请（专利权）人： | 贵州民族大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/583;H01M10/0525;H01M4/86;H01M4/90;H01M4/96;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘艳 |
| 地址： | 550025 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料的制备方法，其特征在于：首先采用插层剥离法得到溶液分散的二维层状纳米材料二硫化钨或二硫化钼，然后采用静电纺丝技术得到聚丙烯腈/二硫化钨或二硫化钼复合纳米纤维前驱体，再经过预稳定、碳化过程得到二维片层结构钨或钼纳米片修饰的碳纳米纤维膜；最后经过硒或碲化置换制备具备微孔限域功能的二维结构硒碲化物修饰碳纤维电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 结构 硒碲化物 修饰 碳纤维 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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