[发明专利]一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用有效
| 申请号： | 202110054432.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112803240B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;孔庆波;郝晓东;许并社;韩斌;徐阳;刘青明;张帅 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/30;H01S5/183 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用，包含GaAs衬底和GaAs间隔层，具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs，并在每个InGaAs/AlGaAs阱垒界面处均插入一层GaAs间隔层，有效的减小了In、Al原子偏析的长度，并且减小了AlGaAs势垒厚度，避免了In的扩散，降低了外延生长InGaAs量子阱的难度，有助于提高激光器的内量子效率，增强其光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingaas algaas 外延 结构 优化 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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