[发明专利]一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用有效
| 申请号： | 202110054432.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112803240B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;孔庆波;郝晓东;许并社;韩斌;徐阳;刘青明;张帅 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/30;H01S5/183 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingaas algaas 外延 结构 优化 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法，其特征在于，利用MOCVD方法在GaAs衬底上生长所述InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构；
所述GaAs衬底为0°偏角的N型（100）GaAs衬底；
所述InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构从上到下依次为GaAs盖层、AlGaAs层、GaAs间隔层、InGaAs层、GaAs间隔层、AlGaAs层、GaAs间隔层、InGaAs层、GaAs间隔层、AlGaAs层、GaAs间隔层、InGaAs层、GaAs间隔层、AlGaAs层、GaAs衬底；
所述GaAs间隔层的厚度为0.6nm～1nm；
所述InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的生长温度为650℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MOCVD方法所用Ⅲ族源为TMGa、TMIn、TMAl；所用Ⅴ族源为AsH3；所用载气为氢气。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlGaAs层的厚度为3.2nm～3.4nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，InGaAs层的厚度为6.4nm～6.6nm。
5.权利要求1至4任一项所述方法在制备所述InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构中的应用。
6.权利要求1至4任一项所述InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构在垂直腔面发射激光器中的应用。
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