[发明专利]一种Ag-MoS2在审

专利信息
申请号: 202110047822.5 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN112893833A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 彭磊;付敏;丁西;曾俊;张圣 申请(专利权)人: 武汉千星铄金科技有限公司
主分类号: B22F1/02 分类号: B22F1/02;C01G39/06;C23C18/44
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 钱学宇
地址: 430000 湖北省武汉市经济技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于电化学复合材料技术领域,公开了一种Ag‑MoS2复合材料及其制备方法。该制备方法是通过选用块状的二硫化钼,将二硫化钼与表面活性剂和溶剂利用超声剥离的方式获得所需要的片状二硫化钼,随后采用在搅拌的方式下加入银离子溶液及还原剂的作用下获得成品。上述该Ag‑MoS2复合材料的制备过程是结合了超声剥离与原位还原法,具有反应条件温和、简单易操作、所选用的原料资源丰富且价格低廉,制备效率高。该Ag‑MoS2复合材料用于电化学传感器,导电性能好,生物兼容性好。
搜索关键词: 一种 ag mos base sub
【主权项】:
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