[发明专利]基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路有效
| 申请号： | 202110043527.2 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112946447B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李虹;王玉婷;邵天骢;张波;郑琼林 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 韩海花 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路，涉及电力电子技术领域，包括：电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极；积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接，积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接；电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地，积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接，比较器的同相输入端与参考电压连接。由此，可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号，且母线电压越大时短路保护动作越迅速，能够提高电力电子系统的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 漏源导 通电 积分 sic mosfet 短路 检测 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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