[发明专利]一种等离子刻蚀装置有效
| 申请号： | 202110036756.1 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112863992B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 罗凯;王子荣;康凯 | 申请（专利权）人： | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种等离子刻蚀装置，包括工艺腔、第一基座、第二基座、两个下射频、第一托盘、第二托盘、上定位组件和下定位组件，工艺腔外套设有射频线圈；第一基座和第二基座分别设在工艺腔的顶壁和底壁；两个下射频分别连接于第一基座和第二基座；第一托盘和第二托盘均用于放置待蚀刻件；上定位组件用于将第一托盘固定于第一基座；下定位组件用于将第二托盘固定于第二基座。本发明提供的等离子刻蚀装置在不增加工艺腔体积的情况下，能够刻蚀原来两倍的晶片，极大地提高了刻蚀晶片的数量，提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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