[发明专利]饱水层的基坑施工方法有效

专利信息
申请号: 202110031340.0 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112854231B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 王建伟;刘沛佐;李成刚;张志威;于长龙;孟凡松;李欢 申请(专利权)人: 中国建筑第八工程局有限公司
主分类号: E02D17/02 分类号: E02D17/02;E02D17/04;E02D19/10
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 宋小光
地址: 200122 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种饱水层的基坑施工方法,该基坑位于地下结构的底板下方,该施工方法包括如下步骤:S11.在待施工基坑的区域周围施工形成支护结构,且该支护结构的顶部与位于待施工的基坑的顶部标高处;S12.开挖支护结构围合的区域内的土体至设定标高处,并沿支护结构的侧部浇筑形成护壁,从而于护壁围合的区域内形成基坑;S13.于基坑的底部施工形成降水井,以收集基坑内的积水并向外排出。本发明有效地解决了饱水层中施工基坑困难的问题,不仅能够保证基坑的稳定性,还能防止基坑中出现大量积水,保证了施工安全,提高了施工效率,保证了施工质量。
搜索关键词: 水层 基坑 施工 方法
【主权项】:
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