[发明专利]一种电铜基MOFs敏感膜修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法和检测方法有效
| 申请号： | 202110031209.4 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112903781B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 罗爱芹;梁阿新;侯慧鹏;唐珊珊;刘毅权;刘宗坤 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/48 |
| 代理公司： | 北京宣言律师事务所 11509 | 代理人： | 张紫晔 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明研究了一种基于电铜基MOFs敏感膜修饰电极的分子印迹电化学传感器及其制备方法和检测方法，属于电化学传感领域。本发明选择血清中特定蛋白人免疫球蛋白G(IgG)作为研究对象，通过结合纳米复合材料，新的印迹方法，新的模板处理思路、新的检测方法，成功构建了新型高灵敏分子印迹电化学传感器。首先用电沉积法在玻碳电极表面合成铜基MOFs修饰电极以提高导电性并增加比表面积，然后依次修饰上壳聚糖和戊二醛来提供IgG的附着位点，接着在修饰电极表面直接通过吡咯电聚合形成聚合物膜，最后洗脱模板得到分子印迹聚合物修饰的电极。该分子印迹电化学传感器灵敏度高、选择性好，已成功应用于实际样品中目标蛋白的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电铜基 mofs 敏感 修饰 电极 分子 印迹 电化学传感器 及其 制备 方法 检测 | ||
【主权项】：
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