[发明专利]一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110020147.7 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112853295A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘豪;毛喜玲 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/48;C23C14/08;G01D5/16 |
| 代理公司： | 西安中科汇知识产权代理有限公司 61254 | 代理人： | 王培境 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧离子注入构建薄膜传感器渐变过渡结构的制备方法；该方法为对薄膜过渡层材料进行氧离子注入，最终形成由下往上依次为过渡层材料、富Al层、渐变过渡层和热氧化层的渐变过渡结构。本发明采用氧离子注入构建渐变过渡结构，实现由金属相到陶瓷相的渐变过渡，降低热处理温度，减小长时间高温处理对基底材料力学性能和机械性能的影响，同时将薄膜传感器的应用范围推广到中低温；本发明中采用氧离子注入构建的渐变过渡结构的表面为致密氧化层，与薄膜传感器的陶瓷绝缘层构成协同作用，进一步抑制金属基底与敏感层之间的导电电子的传输，提高绝缘层的高温绝缘效果，确保薄膜传感器电学信号的有效性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 构建 薄膜 传感器 渐变 过渡 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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