[发明专利]一种磁吸式MicroLED巨量转移结构及方法有效
| 申请号： | 202110016028.4 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635400B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘巍巍 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种磁吸式MicroLED巨量转移结构，包括：基底，基底的一面上制备有LED芯片阵列，LED芯片阵列的每个电极上设置有第一导电粘接剂层和第一软磁材料层；以及目标电路基板，目标电路基板的一面上设置有第二导电粘接剂层阵列和第二软磁材料层阵列；第一导电粘接剂层与第二导电粘接剂层一一对应，第一软磁材料层与第二软磁材料层一一对应，LED芯片阵列和目标电路基板可通过第一导电粘接剂层和第二导电粘接剂层利用热压工艺进行绑定连接；第一软磁材料层和第二软磁材料层的居里温度低于热压工艺的加热温度。本申请实施例MicroLED巨量转移的定位精确，工艺简单易行，能够完成巨量转移释放需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁吸式 microled 巨量 转移 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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