[发明专利]包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置在审
| 申请号： | 202110011018.1 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114373862A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜;郑政伟;布莱斯凯·马修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置。所述切换装置具有第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的切换层，切换层使用掺杂有抑制氧化的元素的硫族化物组成物来形成，其引起改进的可制造性及合格率。对于基于AsSeGeSi、或包含硒或砷的其他硫族化物材料、或包含硒或砷及硅的其他硫族化物材料的选择器材料，经添加以抑制氧化的元素可为硫。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 切换 装置 存储器 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司，未经旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110011018.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
