[发明专利]深槽和结混合隔离在审
| 申请号： | 202110010939.6 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078219A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张志宏;林欣;祝荣华 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及深槽和结混合隔离。实施例涉及一种设备，包括横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)，所述LDMOS包括可连接到漂移区的漏极和可连接到基体区的源极。二极管包括电耦合到所述漂移区的阴极，其中在工作状态期间，阳极充电到小于施加到所述漏极的高电压且大于施加到所述源极的低电压的偏置电压。所述阳极从所述漏极横向地移开第一距离。第一深槽隔离(DTI)在所述源极附近且安置成横向地环绕所述LDMOS。屏蔽结在所述第一DTI附近且在所述源极的相对侧上，且电连接到所述阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 隔离 | ||
【主权项】：
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