[发明专利]一种In掺杂CdS复合MoS2在审

专利信息
申请号: 202110005648.8 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN112844419A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 王顺方 申请(专利权)人: 王顺方
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J37/10;B01J35/10;B01J37/16;C01B3/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 317700 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及光催化析氢技术领域,且公开了一种In掺杂CdS复合MoS2的异质结析氢材料,In掺杂CdS纳米花具有超高的比表面积,以其为基底,得到In掺杂CdS纳米花负载MoS2纳米空心球,MoS2纳米空心球具有超高的比表面积,有利于暴露出更多的光催化析氢活性位点,In掺杂减小CdS带隙,促进光生电子‑空穴分离,同时使CdS带边红移,拓宽光吸收范围,CdS与MoS2形成异质结,降低带隙宽度,进一步拓宽了光吸收范围,CdS导带上的光生电子转移到MoS2的导带上,CdS价带上的部分空穴转移并累计在MoS2价带上,抑制了光生电子‑空穴的复合,提高了析氢材料的光学稳定性,使得In掺杂CdS复合MoS2的异质结析氢材料具有优异的光催化析氢性能。
搜索关键词: 一种 in 掺杂 cds 复合 mos base sub
【主权项】:
暂无信息
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