[发明专利]光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置在审
| 申请号： | 202080102963.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN115943335A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹均凯;曹高奇 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘金玲 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种光电探测器(10)、其制备方法、芯片(100)及光学装置，其中光电探测器(10)包括：衬底(11)、依次层叠设置于衬底(11)上的第一电极接触层(12)、光敏感层(13)、第二电极接触层(14)、钝化层(15)以及第一电极(161)和第二电极(162)；光电探测器(10)还包括至少贯穿光敏感层(13)和第二电极接触层(14)的通孔(V0)；第一电极接触层(12)和第二电极接触层(14)为极性相反的掺杂半导体层；第一电极(161)和第二电极(162)相互绝缘，第一电极(161)通过第一凹槽(V1)与第一电极接触层(12)电连接，第二电极(162)通过第二凹槽(V2)与第二电极接触层(14)电连接。在光电探测器(10)中，当被检测光穿过通孔(V0)时，光敏感层(13)可以俘获穿过通孔(V0)的部分光子，从而将光信号转换为电信号，实现对被检测光的检测，并且保证被检测光不受干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 制备 方法 芯片 光学 装置 | ||
【主权项】：
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