[发明专利]磁控溅射成膜装置有效
| 申请号： | 202080083700.5 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114761610B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 森地健太;谷口刚志 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(52)、第1磁控等离子体单元(11)、以及第2磁控等离子体单元(12)。磁控溅射成膜装置(1)满足至少条件[1]。条件[1]：在从第1旋转靶(13)的第2轴线(A2)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第1方向上，从第1磁体部(15)到第1旋转靶(13)的距离(L1)随着朝向轴线(A)方向一侧而变长。在从第2旋转靶(33)的第3轴线(A3)朝向成膜辊(52)的第1轴线(A1)的第2方向上，从第2磁体部(35)到第2旋转靶(33)的距离(L2)随着朝向轴线(A)方向另一侧而变长。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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